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| 品牌 | 梓冠 |
|---|
硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片
〖簡介Introduction〗
梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時
路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片
硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片
〖特性Features〗
n 高速切換
n 高延時精度
n 超小尺寸
n 超寬帶工作
n 全固態波導芯片可靠性強
〖應用Applications〗
n 光控相控陣雷達系統、電子對抗系統
性能指標 Parameter | 單位 Unit | 典型值 Typical value | 備注 Notes |
延時位數 Delay bits | / | 7 | 可定制 Can be customized |
最小延時步進 Min.step-delay | ps | 2 | 可定制 Can be customized |
可調節最大延時量 Adjustable max.delay | ps | 254 | |
延時偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時切換時間 Delay switching time | µs | ≤1 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延時態損耗差異 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
回波損耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 19×11×0.7 |
2×2 光開關的“交叉"、“直通"傳輸狀態定義如下：
“交叉"狀態（cross 態）：從輸入 A 端輸入，輸出端 D 有光信號輸出，輸出端 C 沒有光信號輸出時，即為"交叉“態（A→D）；類似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 C 光信號輸出，輸出端 D 沒有光信號輸出，也為"交叉“態（B→C）。
“直通"態（bar 態）：從輸入端 A 處輸入，輸出端 C 有輸出光信號，輸出端 D 沒有光信號輸出時，即為"直通“態（A→C）；類似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 D 有光信號輸出，輸出端 C 沒有光信號輸出，也為“直通"態（B→D）。
序號No. | 名稱Name | 描述 Description | 序號No. | 名稱 Name | 描述 Description |
1 | DMY | dummy | 19 | CH5+B | 開關 5 正極 bar 態 |
2 | DMY | dummy | 20 | CH5- | 開關 5 負極 |
3 | DMY | dummy | 21 | CH5+C | 開關 5 正極 cross 態 |
4 | DMY | dummy | 22 | CH6+B | 開關 6 正極 bar 態 |
5 | DMY | dummy | 23 | CH6- | 開關 6 負極 |
6 | DMY | dummy | 24 | CH6+C | 開關 6 正極 cross 態 |
7 | CH1+B | 開關 1 正極 bar 態 | 25 | CH7+B | 開關 7 正極 bar 態 |
8 | CH1- | 開關 1 負極 | 26 | CH7- | 開關 7 負極 |
9 | CH1+C | 開關 1 正極 cross 態 | 27 | CH7+C | 開關 7 正極 cross 態 |
10 | CH2+B | 開關 2 正極 bar 態 | 28 | CH8+B | 開關 8 正極 bar 態 |
11 | CH2- | 開關 2 負極 | 29 | CH8- | 開關 8 負極 |
12 | CH2+C | 開關 2 正極 cross 態 | 30 | CH8+C | 開關 8 正極 cross 態 |
13 | CH3+B | 開關 3 正極 bar 態 | 31 | DMY | dummy |
14 | CH3- | 開關 3 負極 | 32 | DMY | dummy |
15 | CH3+C | 開關 3 正極 cross 態 | 33 | DMY | dummy |
16 | CH4+B | 開關 4 正極 bar 態 | 34 | DMY | dummy |
17 | CH4- | 開關 4 負極 | 35 | DMY | dummy |
18 | CH4+C | 開關 4 正極 cross 態 | 36 | DMY | dummy |
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